光刻胶分类

正性光刻胶和负性光刻胶

光刻胶可依据不同的产品标准进行分类。
按照化学反应和显影的原理，光刻胶哪家好，光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。
如果显影时未曝光部分溶解于显影液，形成的图形与掩膜版相反，称为负性光刻胶;如果显影时曝光部分溶解于显影液，形成的图形与掩膜版相同，称为正性光刻胶。

在实际运用过程中，由于负性光刻胶在显影时容易发生变形和膨胀的情况，一般情况下分辨率只能达到 2 微米，光刻胶供应商，因此正性光刻胶的应用更为广泛。

光刻胶的分类

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硅片制造中，光刻胶的目的主要有两个：（1）将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中；（2）在后续工艺中，光刻胶报价，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入阻挡层）。

分类

光刻胶的技术复杂，品种较多。
根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。
光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。
图1是正性胶的显影工艺与负性胶显影工艺对比结果示意图 [2]  。

   光刻胶的主要技术参数

1．灵敏度（Sensitivity）

灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。
光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。
单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。

2．分辨率（resolution）

区别硅片表面相邻图形特征的能力。
一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。
形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。

光刻胶的分辨率是一个综合指标，影响该指标的因素通常有如下3个方面：

(1) 曝光系统的分辨率。

(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。
一般薄胶容易得到高分辨率图形。

(3) 前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。
 

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