光刻胶：半导体技术壁垒的材料之一

光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺，耗时占IC制造50%左右，负性光刻胶多少钱，成本约占IC生产成本的1/3。
光刻胶是光刻过程重要的耗材，光刻胶的质量对光刻工艺有着重要影响。

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正性光刻胶的操作工艺

(1)合成醛树脂。
将原料混和甲醛送人不锈钢釜，加入适量草酸为催化剂，加热回流反应5～6h，然后减压蒸馏去除水及未反应的单体酚，得到醛树脂。
(2)合成感光剂。
在装有搅拌器的夹套反应罐中，先将三羟基二苯甲酮和215酰氯加至中搅拌下溶解，待完全溶解后，滴加有机碱溶液做催化剂，控制反应温度30~35℃，滴加完毕后，继续反应1h。
将反应液冲至水中，感光剂析出，离心分离，干燥。
(3)配胶。
将合成的树脂、感光剂与溶剂及添加剂按一定比例混合配胶，然后调整胶的各项指标使之达到要求。
后过滤分装，光刻胶首先经过板框式过滤器粗滤，然后转入超净间(100级)进行超净过滤，滤膜孔径0.2mm，经超净过滤的胶液分装即为成品。

光刻胶的相关信息

利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。
基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。

光聚合型采用烯类单体，在光作用下生成自由基，负性光刻胶供应商，自由基再进一步引发单体聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特点。
光分解型采用含有叠氮醌类化合物的材料，陕西负性光刻胶，经光照后，会发生光分解反应，由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。
光交联型采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。
柯达公司的产品KPR胶即属此类。

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