光刻胶的主要技术参数

1．灵敏度（Sensitivity）

灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。
光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。
单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。

2．分辨率（resolution）

区别硅片表面相邻图形特征的能力。
一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。
形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。

光刻胶的分辨率是一个综合指标，影响该指标的因素通常有如下3个方面：

(1) 曝光系统的分辨率。

(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。
一般薄胶容易得到高分辨率图形。

(3) 前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。
 

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光刻胶介绍

以下内容由赛米莱德为您提供，今天我们来分享光刻胶的相关内容，希望对同行业的朋友有所帮助！

光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料之一，是由感光树脂、增感剂和溶剂等主要成分组成的对光敏感的混合液体。
在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下，负性光刻胶供应商，其溶解度发生变化，经适当溶剂处理，溶去可溶性部分，然后得到所需图像。
光刻胶作为技术门槛极高的电子化学品一直被国际企业垄断。
随着大力研发和投入，负性光刻胶厂家， 国内企业已逐步从低端 PCB 光刻胶发展至中端半导体光刻胶的量产。

光刻胶定义

光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。
光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。
广泛应用于集成电路(IC)，封装(Packaging)，福建负性光刻胶，微机电系统(MEMS)，光电子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics)，平板显示器(LED，LCD，OLED)，太阳能光伏(Solar PV)等领域。

期望大家在选购光刻胶时多一份细心，负性光刻胶哪家好，少一份浮躁，不要错过细节疑问。
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