北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY，NR9i-3000PY有下面的优势： 1. 比较高的光刻速度，可以定制光刻速度来曝光产量 2. 比较高的分辨率和快的显影时间 3. 根据曝光能量可以比较容易的调整侧壁角度 4. 耐温可以达到100摄氏度 5. 用RR5去胶液可以很容易的去胶 NR9-3000PY的制作和工艺是根据职业和环境的安全而设计。
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光刻胶去除
半导体器件制造技术中，光刻胶，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。通常光刻的基本工艺包括涂胶、曝光和显影等步骤。
在现有技术中，去除光刻胶层的方法是利用等离子体干法去胶。将带有光刻胶层的半导体结构置于去胶机内，在射频电压的能量的作用下，灰化气体被解离为等离子体。所述等离子体和光刻胶发生反应，从而将光刻胶层去除。
而在一些半导体器件设计时，考虑到器件性能要求，需要对特定区域进行离子注入，使其满足各种器件不同功能的要求。一部分闪存产品前段器件形成时，需要利用前面存储单元cell区域的层多晶硅与光刻胶共同定义掺杂的区域，由于光刻胶是作为高浓度金属掺杂时的阻挡层，在掺杂的过程中，光刻胶的外层吸附了一定浓度的金属离子，这使得光刻胶最外面形成一层坚硬的外壳。
这层坚硬的外壳可以采取两种现有方法去除:方法一，采用湿法刻蚀，但这种工艺容易产生光刻胶残留；方法二，先通过干法刻蚀去除硬光刻胶外壳，再采用传统的干法刻蚀去光刻胶的方法去除剩余的光刻胶的方法，但是这种方式增加了一步工艺流程，浪费能源，而且降低了生产效率；同时，传统的光刻胶干法刻蚀去除光刻胶时，光刻胶最外面的外壳阻挡了光刻胶内部的热量的散发，光刻胶内部膨胀应力增大，导致层多晶硅倒塌的现象。
30．想请教国产光刻胶不能达到膜厚要求，进口的有没有比较好的光刻胶啊？
都可以啊！goodpr是大陆比较多公司采用的，
但是Futurre 光刻胶在国外是比较有名气的，包括很多大型企业都有用，膜厚做的也
比较厚从18um-200um都 可以做到，NR29 25000P光刻胶，看你对工艺的要求了。
光刻胶品牌FUTURRE光刻胶产品属性：
1 FUTURRE光刻胶产品简要描述及优势:
1.1 Futurre光刻胶黏附性好，无需使用增粘剂（HMDS）
1.2 负性光刻胶常温下可保存3年
1.3 150度烘烤，NR94 8000PY光刻胶，缩短了烘烤时间
1.4 单次旋涂能够达到100um膜厚
1.5 显影速率快，100微米的膜厚，仅需6~8分钟
光刻胶-赛米莱德-RR41光刻胶由 北京赛米莱德贸易有限公司提供。 北京赛米莱德贸易有限公司（www.semild.com）实力雄厚，信誉可靠，在北京 大兴区 的工业制品等行业积累了大批忠诚的客户。公司精益求精的工作态度和不断的完善创新理念将引领赛米莱德和您携手步入，共创美好未来！
