含硅光刻胶

为了避免光刻胶线条的倒塌，线宽越小的光刻工艺，就要求光刻胶的厚度越薄。
在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。
但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2]  。
为此，研发了含Si的光刻胶，光刻胶供应商，这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料（常被称作Underlayer），其对光是不敏感的。
曝光显影后，光刻胶公司，利用氧等离子体刻蚀，光刻胶厂家，把光刻胶上的图形转移到Underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer，具有较高的刻蚀选择性 [2]  。
含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的，例如硅氧烷，含Si的树脂等

光刻胶是什么材料

光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。
印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。

1、光刻胶的技术复杂，品种较多。
根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。
光照后形成不可溶物质的是负性胶。
反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。

2、普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。
随着曝光加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。
为了提高曝光系统分辨率的性能，人们正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。
该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而改善光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。

光刻胶的参数

赛米莱德专业生产、销售光刻胶，我们为您分析该产品的以下信息。

分辨率

分辨率英文名：resolution。
区别硅片表面相邻图形特征的能力，北京光刻胶，一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。
形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。

对比度

对比度（Contrast）指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。
对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。

敏感度

敏感度（Sensitivity）光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的能量值（或曝光量）。
单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光（DUV）、极深紫外光（EUV）等尤为重要。

粘滞性黏度

粘滞性/黏度（Viscosity）是衡量光刻胶流动特性的参数。
粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会产生厚的光刻胶；越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。
光刻胶的比重（SG，Specific Gravity）是衡量光刻胶的密度的指标。
它与光刻胶中的固体含量有关。
较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。
粘度的单位：泊（poise），光刻胶一般用厘泊（cps，厘泊为1%泊）来度量。
百分泊即厘泊为粘滞率；运动粘滞率定义为：运动粘滞率=粘滞率/比重。
单位：百分斯托克斯（cs）=cps/SG。

粘附性

粘附性（Adherence）表征光刻胶粘着于衬底的强度。
光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。
光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺（刻蚀、离子注入等）。

抗蚀性

抗蚀性（Anti-etching）光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。
耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。

表面张力

液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。
光刻胶应该具有比较小的表面张力（Surface Tension），使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。

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