光刻胶京东方

事实上，我国是在缺乏经验、缺乏专业技术人才，缺失关键上游原材料的条件下，全靠自己摸索。
近年来，尽管光刻胶研发有了一定突破，但国产光刻胶还是用不起来。
目前，国外阻抗已达到15次方以上，而国内企业只能做到10次方，满足不了客户工艺要求和产品升级的要求，有的工艺虽达标了，但批次稳定性不好。

“10次方的光刻胶经过多次烘烤，负性光刻胶报价，由于达不到客户需求的防静电作用，不能应用到新一代窄边框等面板上。
而国外做到15次方就有了很好的防静电作用。
这还是我们的光刻胶材料、配方、生产工艺方面存在问题。
”李中强说。

关键指标达不到要求，国内企业始终受制于人。
就拿在国际上具有一定竞争实力的京东方来说，目前已建立17个面板显示生产基地，其中，有16个已经投产。
但京东方用于面板的光刻胶，仍然由国外企业提供。

PR1-2000A1负性光刻胶

4，曝光

前烘好的存底放在光刻胶衬底放在光刻机上，负性光刻胶厂家，经与光刻版对准后，进行曝光，接受光照的光刻胶发生化学变化，形成潜影，

光源与光刻胶相匹配，也就是光源波长在光刻胶的敏感波段；

对准：指光刻板上与衬底的对版标记应准确对准，这样一套光刻版各版之间的图形才能彼此套准。

曝光时间，由光源强度，光刻胶种类，厚度等决定，

另外，为降低驻波效应影响，可在曝光后需进行烘焙，称为光后烘焙（PEB）

光刻胶国内研发现状

“造成与国际水平差距的原因很多。
过去由于我国在开始规划发展集成电路产业上，布局不合理、不完整，特别是生产加工环节的投资，浙江负性光刻胶，而忽视了重要的基础材料、装备与应用研究。
目前，整个产业是中间加工环节强，前后两端弱，负性光刻胶供应商，核心技术至今被TOK、JSR、住友化学、信越化学等日本企业所垄断。

光刻胶的主要技术指标有解析度、显影时间、异物数量、附着力、阻抗等。
每一项技术指标都很重要，必须全部指标达到才能使用。
因此，国外企业在配方、生产工艺技术等方面，对中国长期保密。
中国的研发技术有待进一步发展

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