选择光刻胶需要注意什么

光刻加工工艺中为了图形转移，辐照必须作用在光刻胶上，通过改变光刻胶材料的性质，使得在完成光刻工艺后，光刻版图形被拷贝在圆片的表面。
而加工前，如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。
尽管正性胶的分辨力是较好的，但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑，需要对光刻胶进行合理的选择。

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光刻胶的作用

光刻开始于-种称作光刻胶的感光性液体的应用。
图形能被映射到光刻胶上，然后用一个developer就能做出需 要的模板图案。
光刻胶又称光致抗蚀剂，是以智能

管感光材料，干光刻胶供应商，在光的照射与溶解度发生变化。

光刻胶成份

光刻胶通常有三种成分:感光化台物、基体材料和溶剂。
在感光化台物中有时还包括增感剂。
根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类:负性光刻胶和

正性光刻胶。

1、负性光刻胶

主要有聚酸系(聚酯胶)和环化橡胶系两大类

2、正性光刻胶

主要以重氮醒为感光化台物，以酚醛树脂为基体材料。
正胶的主要优点是分辨率高，缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。

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光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺，干光刻胶公司，耗时占IC制造50%左右，成本约占IC生产成本的1/3。
光刻胶是光刻过程重要的耗材，光刻胶的质量对光刻工艺有着重要影响。

光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上，为后续的刻蚀步骤作准备。
在光刻过程中，干光刻胶哪里有，需在硅片上涂一层光刻胶，经紫外线曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，在通过显影后，被曝光的光刻胶将被去除，从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。
再经过刻蚀过程，实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。
在刻蚀过程中，光刻胶起防腐蚀的保护作用。

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