光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺，耗时占IC制造50%左右，成本约占IC生产成本的1/3。
光刻胶是光刻过程重要的耗材，光刻胶的质量对光刻工艺有着重要影响。

光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上，为后续的刻蚀步骤作准备。
在光刻过程中，需在硅片上涂一层光刻胶，光刻胶厂家，经紫外线曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，在通过显影后，被曝光的光刻胶将被去除，从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。
再经过刻蚀过程，实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。
在刻蚀过程中，光刻胶起防腐蚀的保护作用。

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光刻胶成分介绍

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光刻开始于-种称作光刻胶的感光性液体的应用。
图形能被映射到光刻胶上，然后用一个developer就能做出需要的模板图案。
光刻胶又称光致抗蚀剂，以智能管感光材料，正向光刻胶厂家，在光的照射与溶解度发生变化。

光刻胶成份

光刻胶通常有三种成分:感光化合物、基体材料和溶剂。
在感光化合物中有时还包括增感剂。
根据光刻胶按照如何响应紫外光的性可以分为两类:负性光刻胶和正性光刻胶。

1、负性光刻胶

主要有聚酯胶和环化橡胶系两大类，前者以柯达公司的KPR为代表，后者以OMR系列为代表。

2、正性光刻胶

主要以重氮醌为感光化合物，以酚醛树脂为基体材料。
常用的有AZ- 1350系列。
正胶的主要优点是分辨率高，缺点是灵敏度、而刻蚀性和附着性等较差。

光刻胶的特点

1、在光的照射下溶解速率发生变化，利用曝光区与非曝光区的溶解速率差来实现图形的转移;

2、溶解抑制/溶解促进共同作用;

3、作用的机理因光刻胶胶类型不同而不同;

光刻胶分类介绍

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根据化学反应机理和显影原理的不同，光刻胶可以分为负性胶和正性胶。
对某些溶剂可溶，但经曝光后形成不可溶物质的是负性胶;反之，对某些溶剂不可溶，经曝光后变成可溶的为正性胶。
 从需求端来看，光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和PCB光刻胶。
其中，半导体光刻胶的技术壁垒较高。

光刻胶产品种类多、专用性强，是典型的技术密集型行业。
不同用途的光刻胶曝光光源、反应机理、制造工艺、成膜特性、加工图形线路的精度等性能要求不同，导致对于材料的溶解性、耐蚀刻性、耐热性等要求不同。
因此每一类光刻胶使用的原料在化学结构、性能上都比较特殊，要求使用不同品质等级的光刻胶专用化学品。

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