光刻工艺重要性二

光刻胶的曝光波长由宽谱紫外向g线→i线→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移动。随着曝光波长的缩短，光刻胶所能达到的极限分辨率不断提高，光刻得到的线路图案精密度更佳，而对应的光刻胶的价格也更高。

光刻光路的设计，有利于进一步提升数值孔径，随着技术的发展，数值孔径由0.35发展到大于1。相关技术的发展也对光刻胶及其配套产品的性能要求变得愈发严格。

工艺系数从0.8变到0.4，其数值与光刻胶的产品质量有关。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。

为了实现7nm、5nm制程，传统光刻技术遇到瓶颈，EUV(13.5nm)光刻技术呼之欲出，台积电、三星也在相关领域进行布局。EUV光刻光路基于反射设计，NR7 6000P光刻胶公司，不同于上一代的折射，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，如金属氧化物光刻胶。

NR77-20000PNR7 6000P光刻胶

6，坚膜

坚膜也叫后烘，是为了去除由于显影液的浸泡引起胶膜软化、溶胀现象，能使胶膜附着能力增强，康腐蚀能力提高。坚膜温度通常情况高于前烘和曝光后烘烤的温度 100-140度 10-30min，7，显影检验，光刻胶钻蚀、图像尺寸变化、套刻对准不良、光刻胶膜损伤、线条是否齐、陡，针KONG、小岛。

8刻蚀

就是将涂胶前所垫基的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的那部分进行腐蚀掉，达到将光刻胶上的图形转移到下层材料的目的。湿法刻蚀，SIO2，AL，NR7 6000P光刻胶， Poly-Si 等薄膜，干法腐蚀。

NR9-3000PY 负性光刻胶

负胶 NR9-3000PY 被设计用于i 线（365 nm）曝光，可使用如步进光刻、扫描投影式光刻、接近式光刻

和接触式光刻等工具。

显影之后，NR9-3000PY 展现出一种倒梯形侧壁，NR7 6000P光刻胶哪家好，这可以方便地作单纯的LIFT-OFF 处理。

NR9-3000PY 相对于其他光刻胶具有如下优势：

- 优异的分辨率性能

- 快速地显影

- 可以通过调节曝光能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度

- 耐受温度100℃

- 室温储存保质期长达3 年

Lift-Off工藝

應用領域：LEDs，OLEDs，displays，MEMS，packaging，NR7 6000P光刻胶厂家，biochips。

濕法蝕刻，鍍 干法蝕刻（RIE/Ion Milling/Ion implantation）

附着力好Temperature resistance = 100°C 耐高溫Temperature resistance = 180°C

Resist Thickness NR9-3000PY 负性光刻胶

负胶 NR9-3000PY 被设计用于i 线（365

nm）曝光，可使用如步进光刻、扫描投影式光刻、接近式光刻

和接触式光刻等工具。

显影之后，NR9-3000PY 展现出一种倒梯形侧壁，这可以方便地作单纯的LIFT-OFF 处理。

NR7 6000P光刻胶-赛米莱德由 北京赛米莱德贸易有限公司提供。 北京赛米莱德贸易有限公司（www.semild.com）为客户提供“光刻胶”等业务，公司拥有“赛米莱德”等品牌，专注于工业制品等行业。欢迎来电垂询，联系人：况经理。