光刻胶的核心参数是什么？

分辨率、对比度和敏感度是光刻胶的核心技术参数。
随着集成电路的发展，芯片制造特征尺寸越来越小，对光刻胶的要求也越来越高。
光刻胶的核心技术参数包括分辨率、对比度和敏感度等。
为了满足集成电路发展的需要，光刻胶朝着高分辨率、高对比度以及高敏感度等方向发展。

以上就是为大家介绍的全部内容，希望对大家有所帮助。
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光刻胶主要用于图形化工艺

以半导体行业为例，光刻胶主要用于半导体图形化工艺。
图形化工艺是半导体制造过程中的核心工艺。
图形化可以简单理解为将设计的图像从掩模版转移到晶圆表面合适的位置。

一般来讲图形化主要包括光刻和刻蚀两大步骤，分别实现了从掩模版到光刻胶以及从光刻胶到晶圆表面层的两步图形转移，NR9 8000光刻胶哪里有，流程一般分为十步:1.表面准备，2.涂胶，NR9 8000光刻胶厂家，3.软烘焙，4.对准和曝光，5.显影，6.硬烘焙，7.显影检查，8.刻蚀，NR9 8000光刻胶价格，9.去除光刻胶，10.终检查。

具体来说，在光刻前首先对于晶圆表面进行清洗，主要采用相关的湿化学品，包括氨水等。

晶圆清洗以后用旋涂法在表面涂覆一层光刻胶并烘干以后传送到光刻机里。
在掩模版与晶圆进行精准对准以后，光线透过掩模版把掩模版上的图形投影在光刻胶上实现曝光，这个过程中主要采用掩模版、光刻胶、光刻胶配套以及相应的气体和湿化学品。

对曝光以后的光刻胶进行显影以及再次烘焙并检查以后，实现了将图形从掩模版到光刻胶的次图形转移。
在光刻胶的保护下，对于晶圆进行刻蚀以后剥离光刻胶然后进行检查，实现了将图形从光刻胶到晶圆的第二次图形转移。

目前主流的刻蚀办法是等离子体干法刻蚀，主要用到含氟和含体。

光刻胶的组成

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树脂( resin/polymer)，光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质( 如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等);感光剂，感光剂对光能发生光化学反应;溶剂(Solvent)，保持光刻胶的液体状态，使之具有良好的流动性;添加剂( Additive )，用以改变光刻胶的某些特性，如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。
负性光刻胶。
树脂是聚异戊二烯，一-种天然的橡胶;溶剂是;感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂，产生的自由基在橡胶分子间形成交联。
从而变得不溶于显影液。
负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨;曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。

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