光刻胶的主要技术参数

1、分辨率:区别硅片表面相邻图形特性的能力，一般用关键尺寸来衡量 分辨率。
形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。

2、对比度:指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。
对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。

3、敏感度:光刻胶上产生一 个良好的图形所需一 定波长的小能量值(或小曝光量)。
单位:焦/平方厘米或mJ/cm2.光刻胶

的敏感性对于波长更短的深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为重要。

4、粘滞性/黏度:衡量光刻胶流动特性的参数。
粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的

粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。

5、粘附性:表征光刻胶粘着于衬底的强度。
光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。

6、抗蚀性:光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀I序中保护衬底表面。

7、表面张力:液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。
光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。

8、存储和传送:能量可以启动光刻胶。
应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。
同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。

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光刻胶应用

光刻胶是一种具有光化学敏感性的功能性化学材料，是由光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体（活性稀释剂）、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体，其中，树脂约占50%，单体约占35%。
它能通过光化学反应改变自身在显影液中的溶解性，通过将光刻胶均匀涂布在硅片、玻璃和金属等不同的衬底上，利用它的光化学敏感性，通过曝光、显影、刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜版上的图形转移到衬底上。

光刻胶常被称为是精细化工行业技术壁垒的材料，是因为微米级乃至纳米级的图形加工对其专用化学品的要求极高，不仅化学结构特殊，品质要求也很苛刻，所以生产工艺复杂，需要长期的技术积累。

被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是电子制造领域的关键材料之一。
下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工，NR9 1500P光刻胶厂家，同时在LED、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用，NR9 1500P光刻胶哪家好，是微细加工技术的关键性材料。

光刻胶的未来发展

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由于光刻胶的技术壁垒较高，NR9 1500P光刻胶多少钱，国内光刻胶市场基本被国外企业垄断。
特别是高分辨率的KrF和ArF光刻胶，基本被日本和美国企业占据。
  

国内光刻胶生产商主要生产PCB光刻胶，面板光刻胶和半导体光刻胶生产规模相对较小。
国内生产的光刻胶中，PCB光刻胶占比94%，LCD光刻胶和半导体光刻胶占比分别仅有3%和2%。

国内光刻胶需求量远大于本土产量，且差额逐年扩大。
由于国内光刻胶起步晚，目前技术水平相对落后，生产产能主要集中在PCB光刻胶、TN/STN-LCD光刻胶等中低端产品，TFT-LCD、半导体光刻胶等高技术壁垒产品产能很少，仍需大量进口，从而导致国内光刻胶需求量远大于本土产量。

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