光刻胶介绍
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光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料之一,是由感光树脂、增感剂和溶剂等主要成分组成的对光敏感的混合液体。
在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下,其溶解度发生变化,经适当溶剂处理,溶去可溶性部分,然后得到所需图像。
光刻胶作为技术门槛极高的电子化学品一直被国际企业垄断。
随着大力研发和投入, 国内企业已逐步从低端 PCB 光刻胶发展至中端半导体光刻胶的量产。
光刻胶的主要技术参数
1.灵敏度(Sensitivity)
灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。
光刻胶的灵敏度越高,所需的曝光剂量越小。
单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
2.分辨率(resolution)
区别硅片表面相邻图形特征的能力。
一般用关键尺寸(CD,NR26 25000P光刻胶哪家好,Critical Dimension)来衡量分辨率。
形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。
光刻胶的分辨率是一个综合指标,影响该指标的因素通常有如下3个方面:
(1) 曝光系统的分辨率。
(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。
一般薄胶容易得到高分辨率图形。
(3) 前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。
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光刻胶是什么材料
光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一,特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展,更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。
印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。
1、光刻胶的技术复杂,品种较多。
根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。
光照后形成不可溶物质的是负性胶。
反之,对某些溶剂是不可溶的,NR26 25000P光刻胶报价,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。
2、普通的光刻胶在成像过程中,由于存在一定的衍射、反射和散射,降低了光刻胶图形的对比度,NR26 25000P光刻胶多少钱,从而降低了图形的分辨率。
随着曝光加工特征尺寸的缩小,入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。
为了提高曝光系统分辨率的性能,NR26 25000P光刻胶,人们正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。
该技术的引入,可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射,从而改善光刻胶的分辨率性能,但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。
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