光刻胶的性能
赛米莱德专业生产、销售光刻胶,以下信息由赛米莱德为您提供。
光刻胶产品种类多、专用性强,是典型的技术密集型行业。
不同用途的光刻胶曝光光源、反应机理、制造工艺、成膜特性、加工图形线路的精度等性能要求不同,导致对于材料的感光性能、溶解性、耐蚀刻性、耐热性等要求不同。
因此每一类光刻胶使用的原料在化学结构、性能上都比较特殊,要求使用不同品质等级的光刻胶专用化学品。
光刻胶的应用
以下内容由赛米莱德为您提供,希望对同行业的朋友有所帮助。
模拟半导体(Analog Semiconductors)发光二极管(Light-Emitting Diodes LEDs)微机电系统(Microelectromechanical Systems MEMS)太阳能光伏(Solar Photovoltaics PV)微流道和生物芯片(Microfluidics & Biochips)光电子器件/光子器件(Optoelectronics/Photonics)封装(Packaging)
光刻胶的主要技术参数
1.灵敏度(Sensitivity)
灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。
光刻胶的灵敏度越高,NR74g 3000PY光刻胶厂家,所需的曝光剂量越小。
单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
2.分辨率(resolution)
区别硅片表面相邻图形特征的能力。
一般用关键尺寸(CD,Critical Dimension)来衡量分辨率。
形成的关键尺寸越小,NR74g 3000PY光刻胶,光刻胶的分辨率越好。
光刻胶的分辨率是一个综合指标,影响该指标的因素通常有如下3个方面:
(1) 曝光系统的分辨率。
(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。
一般薄胶容易得到高分辨率图形。
(3) 前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。
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