光刻胶分类

正性光刻胶和负性光刻胶

光刻胶可依据不同的产品标准进行分类。
按照化学反应和显影的原理，光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。
如果显影时未曝光部分溶解于显影液，形成的图形与掩膜版相反，光刻胶报价，称为负性光刻胶;如果显影时曝光部分溶解于显影液，形成的图形与掩膜版相同，光刻胶哪家好，称为正性光刻胶。

在实际运用过程中，由于负性光刻胶在显影时容易发生变形和膨胀的情况，一般情况下分辨率只能达到 2 微米，因此正性光刻胶的应用更为广泛。

光刻胶市场情况  

目前全球光刻胶市场基本被日本和美国企业所垄断。
光刻胶属于高技术壁垒材料，生产工艺复杂，纯度要求高，需要长期的技术积累。
日本的JSR、东京应化、信越化学及富士电子四家企业占据了全球70%以上的市场份额，处于市场垄断地位。

光刻胶市场需求逐年增加，2018年全球半导体光刻胶销售额12.97亿美元。
随着下游应用功率半导体、传感器、存储器等需求扩大，未来光刻胶市场将持续扩大。

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光刻胶概况

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光刻胶又称光致抗蚀剂，是光刻工艺的关键化学品，主要利用光化学反应将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工，同时在 LED、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用，是微细加工技术的关键性材料。
光刻胶的主要成分为树脂、单体、光引发剂及添加助剂四类。
其中，树脂约占 50%，单体约占35%，光引发剂及添加助剂约占15%。

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