正性光刻胶的操作工艺

(1)合成醛树脂。
将原料混和甲醛送人不锈钢釜，加入适量草酸为催化剂，加热回流反应5～6h，然后减压蒸馏去除水及未反应的单体酚，得到醛树脂。
(2)合成感光剂。
在装有搅拌器的夹套反应罐中，先将三羟基二苯甲酮和215酰氯加至中搅拌下溶解，待完全溶解后，光刻胶厂家，滴加有机碱溶液做催化剂，控制反应温度30~35℃，滴加完毕后，继续反应1h。
将反应液冲至水中，感光剂析出，离心分离，干燥。
(3)配胶。
将合成的树脂、感光剂与溶剂及添加剂按一定比例混合配胶，然后调整胶的各项指标使之达到要求。
后过滤分装，光刻胶首先经过板框式过滤器粗滤，然后转入超净间(100级)进行超净过滤，滤膜孔径0.2mm，经超净过滤的胶液分装即为成品。

光刻胶相关信息

赛米莱德——专业光刻胶供应商，我们为您带来以下信息。

光刻胶是印刷线路板、显示面板、集成电路等电子元器件的上游。
光刻胶产业链覆盖范围非常广，上游为基础化工材料行业、精细化学品行业，中游为光刻胶制备，下游为电子加工厂商、各电子器产品应用终端。
由于上游产品直接影响下游企业的产品质量，下业企业对公司产品的质量和供货能力十分重视，常采用认证采购的模式，进入壁垒较高。

在下游半导体、LCD、PCB等行业需求持续扩大的拉动下，光刻胶市场将持续扩大。
2018年全球光刻胶市场规模为85亿美元，2014-2018年复合增速约5%。
据IHS，江苏光刻胶，未来光刻胶复合增速有望维持5%。
按照下游应用来看，目前半导体光刻胶占比24.1%，LCD 光刻胶占比26.6%，PCB 光刻胶占比24.5%，其他类光刻胶占比24.8%。

含硅光刻胶

为了避免光刻胶线条的倒塌，线宽越小的光刻工艺，就要求光刻胶的厚度越薄。
在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。
但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2]  。
为此，研发了含Si的光刻胶，这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料（常被称作Underlayer），其对光是不敏感的。
曝光显影后，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到Underlayer上，光刻胶供应商，在氧等离子体刻蚀条件下，含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer，具有较高的刻蚀选择性 [2]  。
含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的，例如硅氧烷，含Si的树脂等

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