光刻胶

在曝光过程中，正性胶通过感光化学反应，切断树脂聚合体主链和从链之间的联系，达到削弱聚合体的目的，所以曝光后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。
曝光后的光刻胶溶解速度几乎是未曝光的光刻胶溶解速度的10倍。
而负性胶，在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密，光刻胶厂家，并且从链下坠物增长，所以聚合体的溶解度降低。
见正性胶在曝光区间显影，负性胶则相反。
负性胶由于曝光区间得到保留，漫射形成的轮廓使显影后的图像为上宽下窄的图像，而正性胶相反，为下宽上窄的图像。

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光刻胶介绍

光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和PCB光刻胶。
其中，半导体光刻胶的技术壁垒较高。

从技术水平来看，在PCB领域，国产光刻胶具备了一定的技术和量产能力，已经实现对主流厂商大批量供货。

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光刻胶分类

根据化学反应机理和显影原理的不同，厚光刻胶厂家，光刻胶可以分为负性胶和正性胶。
对某些溶剂可溶，但经曝光后形成不可溶物质的是负性胶;反之，对某些溶剂不可溶，经曝光后变成可溶的为正性胶。

从需求端来看，光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和PCB光刻胶。
其中，半导体光刻胶的技术壁垒较高。

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