光刻胶的应用

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负性光刻胶原理

又称光致抗蚀剂，是一种由感光树脂、增感剂（见光谱增料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。

原理

光刻胶在接受一定波长的光或者射线时，会相应的发生一种光化学反应或者激励作用。
光化学反应中的光吸收是在化学键合中起作用的处于原子外层的电子由基态转入激励态时引起的。
对于有机物，光刻胶供应商，基态与激励态的能量差为3~6eV，化学光刻胶供应商，相当于该能量差的光(即波长为0.2~0.4μm的光)被有机物强烈吸收，使在化学键合中起作用的电子转入激励态。
化学键合在受到这种激励时，或者分离或者改变键合对象，发生化学变化。
电子束、X射线及离子束(即被加速的粒子)注入物质后，因与物质具有的电子相互作用，能量逐渐消失。
电子束失去的能量转移到物质的电子中，因此生成激励状态的电子或二次电子或离子。
这些电子或离子均可诱发光刻胶的化学反应。

光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺，玻璃光刻胶供应商，耗时占IC制造50%左右，近红外光刻胶供应商，成本约占IC生产成本的1/3。
光刻胶是光刻过程重要的耗材，光刻胶的质量对光刻工艺有着重要影响。

光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上，为后续的刻蚀步骤作准备。
在光刻过程中，需在硅片上涂一层光刻胶，经紫外线曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，在通过显影后，被曝光的光刻胶将被去除，从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。
再经过刻蚀过程，实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。
在刻蚀过程中，光刻胶起防腐蚀的保护作用。

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